逆变器主要由半导体功率器件和逆变器驱动、控制电路 两大部分组成。目前的逆变器多数采用功率场效应晶体管 (VMOSFET )、绝缘栅极晶体管( IGBT )、可关断晶体管(GTO)、MOS控制晶体管(MGT)、MOS控制晶闸管(MCT)、静电感应晶体管(SIT)、静电感应晶闸管(SITH)以及智能型 功率模块(IPM)等多种先进且易于控制的大功率器件，控制 逆变驱动电路也从模拟集成电路发展到单片机控制，甚至 采用数字信号处理器(DSP)控制，使逆变器向着高频化、节 能化、全控化、集成化和多功能化方向发展。
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